삼성전자가 세계 최고 용량의 ‘1Tb(테라비트) 8세대 V낸드’ 양산에 들어갔다.
삼성전자 ‘1Tb TLC(Triple Level Cell) 8세대 V낸드’는 업계 최고 수준의 비트 밀도(Bit Density)[1]의 고용량 제품으로, 웨이퍼당 비트 집적도가 이전 세대 보다 대폭 향상됐다.
8세대 V낸드는 최신 낸드플래시 인터페이스 ‘Toggle DDR 5.0’[2]이 적용돼 최대 2.4Gbps의 데이터 입출력 속도를 지원한다. 7세대 V낸드 대비 약 1.2배 향상됐다. 또한 8세대 V낸드는 PCIe 4.0 인터페이스를 지원하며, 향후 PCIe 5.0까지 지원할 계획이다.
삼성전자는 8세대 V낸드를 앞세워 차세대 엔터프라이즈 서버 시장의 고용량화를 주도함과 동시에 높은 신뢰성을 요구하는 자동차 시장까지 사업 영역을 넓혀나갈 계획이다.
삼성전자 메모리사업부 Flash 개발실 허성회 부사장은 “시장의 고집적, 고용량에 대한 요구로 V낸드의 단수가 높아짐에 따라 3차원 스케일링(3D scaling) 기술로 셀의 평면적과 높이를 모두 감소시키고, 셀의 체적을 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하는 기반 기술도 확보했다”며 “8세대 V낸드를 통해 시장의 수요를 만족시키고, 더욱 차별화된 제품과 솔루션을 제공해 나갈 것”이라고 밝혔다.
앞서 삼성전자는 8월 ‘플래시 메모리 서밋’과 10월 ‘삼성 테크데이’에서 세계 최고 용량의 8세대 V낸드 양산 계획과 다양한 차세대 메모리 솔루션을 발표한 바 있다.
[1] 비트 밀도(Bit density)는 단위 면적당 저장되는 비트(Bit)의 수를 의미한다.
[2] Toggle DDR: 낸드플래시 인터페이스 규격으로, 1.0은 133Mbps, 2.0은 400Mbps, 3.0은 800Mbps, 4.0은 1.2Gbps, 5.0은 2.4Gbps의 입출력 속도를 지원한다.
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